Các nhà nghiên cứu tại Đại học Lancaster ở Anh đã thành công trong việc tạo ra một loại bộ nhớ flash không mất dữ liệu, chỉ sử dụng 1% điện năng so với bộ nhớ flash NAND hoặc DRAM khi ghi dữ liệu.
Bộ nhớ, được gọi là UK III-V Memory, được xây dựng trên quy trình 20nm. Hiện tại nó chỉ đang được phát triển ở cấp độ bóng bán dẫn đơn, vì vậy sẽ mất một thời gian để phát triển thành một sản phẩm thương mại hoàn chỉnh. Tuy nhiên, thành tựu này cho thấy tiềm năng của bộ nhớ không biến đổi có thể vượt trội và cạnh tranh với hiệu suất DRAM hiện tại.
Hơn nữa, sự xuất hiện của bộ nhớ không biến động có cùng tốc độ với DRAM khá thú vị, vì nó có tiềm năng thay thế RAM trong máy tính của chúng ta. RAM có tốc độ truy cập nhanh, nhưng đổi lại nó là bộ nhớ biến động, nghĩa là khi mất điện, dữ liệu sẽ bị mất. Với Bộ nhớ UK III-V, chúng ta không chỉ có tốc độ truy cập nhanh mà còn không bị mất dữ liệu khi tắt nguồn, điều này thật tuyệt. Chưa kể nó còn tiết kiệm năng lượng hơn RAM.
Tuy nhiên, có một câu hỏi cần được trả lời: Bộ nhớ UK III-V có thể chịu được cùng tần suất ghi liên tục như DRAM không? Nếu có thì thật tuyệt, nếu không, chúng ta có thể xem xét một hướng tích cực khác, đó là có một ổ cứng có tốc độ nhanh như RAM máy tính.
Nguồn: Phần cứng của tom, Gearvn
Thông báo chính thức: Ninh Bình Web (thuộc GiuseArt) không hợp tác với bất kỳ ai để bán giao diện Wordpress và cũng không bán ở bất kỳ kênh nào ngoại trừ Facebook và zalo chính thức.
Chúng tôi chỉ support cho những khách hàng mua source code chính chủ. Tiền nào của nấy, khách hàng cân nhắc không nên ham rẻ để mua phải source code không rõ nguồn gốc và không có support về sau! Xin cám ơn!
- Gợi ý cách chụp ảnh thẻ đẹp với 10 mẹo siêu hữu ích
- Cách nhận biết mắt kính Gucci chính hãng, phân biệt thật giả chính xác nhất
- Ví điện tử MoMo là gì? Sử dụng MoMo có an toàn không?
- Tác dụng của đu đủ chín đối với sức khỏe con người
- Phim ngắn Điệp Vụ Vinh Quang bị chỉ trích vì sao chép Toàn Chức Cao thủ đến từng chi tiết?
