Đối thủ của DRAM bất ngờ xuất hiện: hiệu năng tương đương, hiệu suất cao hơn 100 lần, tắt điện không mất dữ liệu

Các nhà nghiên cứu tại Đại học Lancaster ở Anh đã thành công trong việc tạo ra một loại bộ nhớ flash không mất dữ liệu, chỉ sử dụng 1% điện năng so với bộ nhớ flash NAND hoặc DRAM khi ghi dữ liệu.

Bộ nhớ, được gọi là UK III-V Memory, được xây dựng trên quy trình 20nm. Hiện tại nó chỉ đang được phát triển ở cấp độ bóng bán dẫn đơn, vì vậy sẽ mất một thời gian để phát triển thành một sản phẩm thương mại hoàn chỉnh. Tuy nhiên, thành tựu này cho thấy tiềm năng của bộ nhớ không biến đổi có thể vượt trội và cạnh tranh với hiệu suất DRAM hiện tại.

Bạn đang xem: Đối thủ của DRAM bất ngờ xuất hiện: hiệu năng tương đương, hiệu suất cao hơn 100 lần, tắt điện không mất dữ liệu

Hơn nữa, sự xuất hiện của bộ nhớ không biến động có cùng tốc độ với DRAM khá thú vị, vì nó có tiềm năng thay thế RAM trong máy tính của chúng ta. RAM có tốc độ truy cập nhanh, nhưng đổi lại nó là bộ nhớ biến động, nghĩa là khi mất điện, dữ liệu sẽ bị mất. Với Bộ nhớ UK III-V, chúng ta không chỉ có tốc độ truy cập nhanh mà còn không bị mất dữ liệu khi tắt nguồn, điều này thật tuyệt. Chưa kể nó còn tiết kiệm năng lượng hơn RAM.

Xem thêm : Phê phán nặng nề siêu phẩm bom tấn được cả thế giới công nhận, game thủ Việt nhận vô số gạch đá

Tuy nhiên, có một câu hỏi cần được trả lời: Bộ nhớ UK III-V có thể chịu được cùng tần suất ghi liên tục như DRAM không? Nếu có thì thật tuyệt, nếu không, chúng ta có thể xem xét một hướng tích cực khác, đó là có một ổ cứng có tốc độ nhanh như RAM máy tính.

Nguồn: Phần cứng của tom, Gearvn

Nguồn: https://tuyengiaothudo.vn
Danh mục: Tin tức